- 規(guī)格型號:19751860
- 頻率:32.768KHz
- 尺寸:Φ1.2 x 4.7mm詳情請參考PDF資料
- 產(chǎn)品描述:VT-120-F晶振,進口圓柱晶體,SEIKO晶振,.小體積時鐘晶體諧振器,音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼時間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無...
VT-120-F晶振,進口圓柱晶體,SEIKO晶振
VT-120-F晶振,進口圓柱晶體,SEIKO晶振,.小體積時鐘晶體諧振器,音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼時間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).
項 目 | 記 號 | 仕 様 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 32.768kHz |
頻率公差(標(biāo)準(zhǔn)) | f_tol |
(±5 x 10-6), ±10 x 10-6, ±20 x 10-6 |
頂點溫度 | Ti | +25±5ºC |
二次溫度係數(shù) | B |
(−3.5±0.8) x 10-8/ºC2 |
負(fù)載電容 | CL | 4.5pF to 12.5pF |
串聯(lián)電阻 | R1 | 60kΩ max. |
最大激勵功率 | DLmax. | 0.1μW |
激勵功率 | DL | 0.01μW |
分路電容 | C 0 | 0.9pF typ. |
頻率老化 | f_age | ±3 x 10-6 |
工作溫度范圍 | T_use | −20ºC to +60ºC |
儲存溫度范圍 | T_stg | −30ºC to +70ºC |
晶振是一種易碎元器件,1,對于晶振的保存方式,首先要考慮其周圍的潮濕度,做好防擠壓措施,放在干燥通風(fēng)的地方,使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.2,其次對于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在較高的貨架上,在使用的過程,也不宜使晶振跌落,一般來說,從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.3,在晶振焊錫過程中,其焊錫的溫度不宜過高,焊錫時間也不宜過長,防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變,而產(chǎn)生不穩(wěn)定.4,晶振外殼需要接地時,應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振,5,保證兩條引腳的焊錫點不相連,否則也會導(dǎo)致晶體停振,6,對于需要剪腳的晶振,應(yīng)該注意機械應(yīng)力的影響。7,焊錫之后,要進行清洗,以免絕緣電阻不符合要求