NDK晶振,NX2016SA晶振,2016晶振,無源晶振
參數(shù):頻率范圍20MHZ-80MHZ
負(fù)載電容: 8pF
串聯(lián)電阻: Refer to*1
工作溫度: - 40 ~ + 85 ℃
保存溫度: - 40~ + 85 ℃
精度 +/-15PPM
激勵電平: 10μW (Max.200μW)
尺寸：小體積2.0*1.6*0.45
應(yīng)用：智能手機(jī),筆記本電腦,安防,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途

　　現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的，在豐富用途被廣泛使用的石英晶振產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價值產(chǎn)品的頻率綜合晶振廠家，正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力。
      并且展開在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域，利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實力強(qiáng)的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計劃。通過贏得客戶的高評價和高信賴來確保持續(xù)的成長和安定的收益，來努力達(dá)成銷售額500億日元企業(yè)的復(fù)活的目標(biāo)。

,無源晶振,是一款只有2.0*1.6*0.45mm沒有硬幣大小的表面貼片金屬封裝四腳貼片晶振,在無源無電壓的石英晶體諧振器中相對較小的一款晶振，采用編帶外包裝可方便自動貼片機(jī)的自動貼裝提高效率，因為體積小的優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)，無線電話，藍(lán)牙等電子產(chǎn)品中，即使是用在衛(wèi)星導(dǎo)航中也可以保持穩(wěn)定的起振。

   1.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
     2.使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
     3.激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
    4.負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
    5.負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用SMD晶振之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

設(shè)計振蕩回路的注意事項

1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力(p)=i2?Re
其中i表示晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，
而且 Re=R1(1-Co/CL)2.
 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
 

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