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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振NDK晶振,NV3225SA晶振,3225晶振,壓控晶振

    NDK晶振,NV3225SA晶振,3225晶振,壓控晶振

  • 規(guī)格型號(hào):7366834
  • 頻率:1.250MHZ-80.000MHZ
  • 尺寸:3.2*2.5*0.9
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用到SDH/ SONET,以太網(wǎng),平臺(tái)基站,筆記本電腦等產(chǎn)品。

NDK晶振,NV3225SA晶振,3225晶振,壓控晶振
參數(shù):頻率范圍1.250MHZ-80.000MHZ
電源電壓: 3.3V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -40℃~+85℃

保存溫度: -55℃~+125℃
精度 +/-50ppm
輸出方式:CMOS輸出 
尺寸:超小薄輕3.2*2.5*0.9
應(yīng)用:DH/SONET,以太網(wǎng),平臺(tái)基站,筆記本,智能手機(jī),通信設(shè)備等產(chǎn)品。

  NDK集團(tuán)作為晶振頻率的綜合生產(chǎn)企業(yè),為了向客戶提供高信賴性品質(zhì)的產(chǎn)品,我們始終追求最高品質(zhì)的產(chǎn)品生產(chǎn)和服務(wù),以「通過(guò)對(duì)客戶的服務(wù),為社會(huì)繁榮和世界和平作貢獻(xiàn)」這樣的公司創(chuàng)業(yè)理念作為我們的使命。
       現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的石英晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價(jià)值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長(zhǎng)為目標(biāo)而努力。

   NDK晶振,NV3225SA晶振,3225晶振,壓控晶振,超小型,薄輕型3.2*2.5*0.9表面貼片型壓控振蕩器,因其本身帶有電壓控制功能,不管電壓是變大還是變小,都能穩(wěn)定在+/-50的精度里,并且可在距離地面一米的高度自由跌落,NV3225SA晶振支持240高溫回流焊,頂點(diǎn)溫度可以達(dá)到260℃等優(yōu)勢(shì),而受到廣大電子數(shù)碼產(chǎn)品廠商的青睞,尤其適用于智能手機(jī),平板電腦,筆記本,以太網(wǎng)等領(lǐng)域。

NDK晶振型號(hào)/輸出類型 NV3225SA晶振,SMD晶振
晶振類型 壓控振蕩器
輸出負(fù)載 15pF
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 3.3V
頻率范圍 1.250MHZ-80.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±50ppm
工作溫度  - 40 ~ + 85 ℃
保存溫度  - 55 ~ + 125 ℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能會(huì)導(dǎo)致該進(jìn)口晶振引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
石英振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。


輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表


2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)

3.    測(cè)試電路

NV3225SA :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       

1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

NV3225SA 
·          
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

NV3225SA 
·               
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

NV3225SA 
·   
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

NV3225SA 
·            
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

NV3225SA 
 
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

NV3225SA 
 
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

NV3225SA 
 
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

NV3225SA 
 

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